在每個(gè)脈沖之后進(jìn)行泄漏測(cè)量以獲得演變與脈沖電流。設(shè)置用于封裝器件測(cè)試，可選雙晶片探針 (Barth Model 45001WP) 也可用于晶圓級(jí)測(cè)試。
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Barth 45001WP 晶圓探針設(shè)計(jì)用于晶圓級(jí) ESD 防護(hù) I/V 特性的脈沖測(cè)試。
它有兩個(gè)獨(dú)立的針頭和獨(dú)立的探針接頭，可獨(dú)立定位，兩者之間無相互作用。它經(jīng)過專門設(shè)計(jì)，在插座中測(cè)試封裝器件時(shí)可以提供相同的精度。 <
為了最大限度地減少連接待測(cè)試焊盤時(shí)出現(xiàn)交叉針的機(jī)械問題，專門設(shè)計(jì)的恒定阻抗反轉(zhuǎn)開關(guān)可以輕松選擇焊盤上的 TLP 脈沖極性。
強(qiáng)大的磁性或真空底座使該 TLP 探針可以輕松移動(dòng)，同時(shí)在桌面上保持安全的定位。
? 脈沖寬度選擇：75ns 到 200ns
? 脈沖電壓：0 至 500V（至開啟負(fù)載），0 至 250V（至 50 歐姆負(fù)載）
? 脈沖電流：0 至 5A（至 50 歐姆負(fù)載），0 至 10A（至 短路負(fù)載）
? 脈沖上升時(shí)間：0.2ns、2ns 和 10ns（典型值）
? 每次脈沖后通過泄漏電流測(cè)量進(jìn)行損傷檢測(cè)
? 晶圓級(jí)測(cè)試（含可選 Model 45001WP）
? 可選擇 20A、30A 和 500ns 寬度
? 脈沖寬度變量：1ns (min)
? 脈沖電流：16A（最大）
? 脈沖上升時(shí)間：100ps (min)
? 超高速響應(yīng)的迅速返回測(cè)量
? 超高速 ESD 保護(hù)電路評(píng)估，如 cdm 模式
? 微波 50 歐姆探針可用于晶圓級(jí)測(cè)試
